本课程为计算机系统结构学科研究生的专业普及课。本课程讲授和讨论超大规模集成电路设计前沿研究领域的主要思想和关键技术。主要内容有MOS管理论、CMOS工艺和版图设计规则以及各种不同种类的CMOS逻辑电路（静态互补 CMOS电路、动态CMOS电路、有比电路和传输门电路）的晶体管级的功能设计、性能（面积、速度、功耗、稳定性和可靠性）分析及优化等。
    通过本课程的学习，希望学生能了解超大规模集成电路前沿研究领域，了解集成电路设计方法最新研究成果，掌握电路设计的基本思想和关键技术，培养学生独立从事相关科学研究的能力。

第一章  绪论
1.1 历史回顾
1.2 数字集成电路设计中的问题 
1.3 数字设计的质量评价 

第二章  制造工艺
2.1 CMOS集成电路制造 
2.2 设计规则 
2.3 集成电路封装 
2.4 制造工艺的发展趋势

第三章  器件
3.1 二极管
3.2 MOS晶体管
3.3 工艺偏差

第四章  导线
4.1 互联参数—电容，电阻和电感
4.2 电容寄生效应
4.3 电阻寄生效应
4.4 电感寄生效应
4.5 高级互联技术
第五章 CMOS
5.1静态CMOS反相器
5.2 CMOS反相器的稳定性评估
5.3 CMOS反相器的性能
5.4功耗、能量和能量延时

第六章 CMOS组合逻辑门的设计
6.1静态CMOS设计
6.2动态CMOS设计

第七章 时序逻辑电路设计
7.1静态锁存器和寄存器
7.2动态锁存器和寄存器
7.3其它寄存器类型
7.4流水线优化
7.5时钟策略选择

第八章 设计方法学
8.1数字处理器结构中的数据通路
8.2加法器
8.3乘法器
8.4移位器
8.5设计中的综合考虑

《现代VLSI设计：片上系统设计（第三版改编版）》，沃尔夫著，杨华中编译，高等教育出版社，2006年。
《数字设计原理与实践（原书第4版）》，韦克利著，林生等译，机械工业出版社，2007年。