课程编号: 051M2008H |
课时: 40 |
学分: 2.0 |
课程属性: 一级学科普及课 |
主讲教师:杨富华等 |
英文名称: Physics of Semiconductor Devices |
教学目的、要求
本课程为材料科学与工程和光学工程专业研究生的专业普及课。要求学生通过本课程的学习能够掌握半导体材料的基本物理知识、掌握各种典型半导体接触和器件的工作原理、了解器件设计制造技术及其应用领域,为学生能够独立分析器件工作特性、设计新器件和开拓器件应用的新领域提供理论与技术基础,为学生进入研究所从事相关研究打下基础。
预修课程
固体物理、半导体物理、统计物理
教 材
主要内容
第一章 半导体物理基础:晶体结构,能带论,晶格振动,半导体统计,非平衡载流子输运,器件工作基本方程。
第二章 基本的半导体接触:P-N结,Schottkey结,异质结,欧姆接触等。
第三章 双极结型晶体管:基本工作原理,输出特性,高频、开关、功率应用,异质结双极晶体管(HBT)。
第四章 场效应晶体管: 理想MIS结构,MOS结构,MOSFET的基本工作原理、I-V特性、按比例缩小等。
第五章 光电子器件:辐射跃迁与光的吸,LED和半导体激光器,光探测器,太阳能电池,集成光电子学。
第六章 专用微波器件:隧道二极管,IMPATT器件,体效应器件等。
第七章 其它半导体器件简介:LDMOS、VDMOS、SOI、CMOS、TFT、CCD、MESFET,JEFET, MODFET、IGBT、量子效应器件等。
参考文献
1. S.M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Third Edition, John Wiley & Sons, Inc.2007.
2. 施敏. 伍国珏《半导体器件物理》,西安交通大学出版社, 2008.
3. 王家骅等编著,《半导体器件物理》,科学出版社,北京,1983.