本课程为材料科学与工程和光学工程专业研究生的专业普及课。要求学生通过本课程的学习能够掌握半导体材料的基本物理知识、掌握各种典型半导体接触和器件的工作原理、了解器件设计制造技术及其应用领域，为学生能够独立分析器件工作特性、设计新器件和开拓器件应用的新领域提供理论与技术基础，为学生进入研究所从事相关研究打下基础。

第一章 半导体物理基础：晶体结构，能带论，晶格振动，半导体统计，非平衡载流子输运，器件工作基本方程。 
第二章 基本的半导体接触：P-N结，Schottkey结，异质结，欧姆接触等。 
第三章 双极结型晶体管：基本工作原理，输出特性，高频、开关、功率应用，异质结双极晶体管（HBT）。
第四章 场效应晶体管： 理想MIS结构，MOS结构，MOSFET的基本工作原理、I-V特性、按比例缩小等。 
第五章 光电子器件：辐射跃迁与光的吸，LED和半导体激光器，光探测器，太阳能电池，集成光电子学。 
第六章 专用微波器件：隧道二极管，IMPATT器件，体效应器件等。
第七章 其它半导体器件简介：LDMOS、VDMOS、SOI、CMOS、TFT、CCD、MESFET，JEFET， MODFET、IGBT、量子效应器件等。

1.	S.M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Third Edition, John Wiley & Sons, Inc.2007. 
2.	施敏. 伍国珏《半导体器件物理》，西安交通大学出版社, 2008. 
3.	王家骅等编著，《半导体器件物理》，科学出版社，北京，1983.