李树深，半导体器件物理专家。中国科学院半导体研究所研究员。1963年3月出生于河北省保定市，籍贯河北保定。1983年毕业于河北师范大学，1989、1996年先后在西南交通大学和中国科学院半导体研究所获硕士和博士学位。2011年当选为中国科学院院士。

主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。提出了研究半导体耦合量子点（环）电子态结构的一种物理模型，理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光，发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制，发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法。曾获国家自然科学二等奖和“何梁何利”科学技术进步奖。